電解拋光過程如何使試樣表面變得光亮如鏡，目前還沒有一種完善的理論，能夠說清楚電解過程的所有現象。薄膜理論被認為是較合理的假說。

薄膜理論認為，電解拋光時，靠近試樣陽極表面的電解液，在試樣上隨著表面的凸凹高低不平形成了一層薄厚不均勻的粘性薄膜。由于電解液的攪拌流動，在靠近試樣表面凸起的地方，擴散流動得快，因而形成的膜較薄；而靠近試樣表面凹陷的地方，擴散流動得較慢，因而形成的膜較厚。試樣之所以能夠拋光與這層厚薄不均勻的薄膜密切相關。膜的電阻很大，所以膜很薄的地方，電流密度很大，膜很厚的地方，電流密度很小。試樣磨面上各處的電流密度相差很多，凸起頂峰的地方電流密度x大，金屬迅速地溶解于電解液中，而凹陷部分溶解較慢。

圖1    電解拋光原理示意圖

電解拋光時要得到并保持這樣一層有利于拋光的薄膜，需要各方面配合。薄膜的形成除了與拋光材料的性質和所用的電解液有關外，主要決定于拋光所加的電壓與所通過的電流密度，根據拋光時的電壓-電流曲線，可以確定合適的電解拋光規(guī)范。

吉奎特研究了許多金屬和合金電解拋光特性，得到不同類型的電壓-電流曲線。

圖2    典型的電解拋光曲線

（1）A到B之間，電流隨電壓的增加而上升，電壓比較低，不足以形成一層穩(wěn)定的薄膜；即使一旦形成也就很快地溶入電解溶液中，不能電解拋光。只有電解浸蝕現象，電解浸蝕就是利用此進行。

（2）B到C之間，試樣表面形成一層反應產物的薄膜，電壓升高電流下降。

（3）C到D之間，電壓升高，薄膜變厚，相應的電阻增加，電流保持不變。由于擴散和電化學過程，產生拋光。C-D之間是正常的電解拋光范圍。

（4）D到E之間，放出氧氣，由于氧氣的形成，導致試樣表面點蝕。這可能是由于表面吸附氣泡，使膜厚局部減小而產生的。

上述四個階段中的電化學反應式如圖1上所示。其中Me是代表金屬，Me++代表金屬離子，e代表電子。

在實際電解拋光過程中，如果把BC、CD和DE段都觀察一下，則發(fā)現只有C-D之間沒有和其他現象（鈍化膜形成和氧釋放）的重合。因此大多數金相電解拋光規(guī)范相當于CD的水平線段。很少使用DE段。而且CD段愈寬愈有利于電解拋光。DE段大多用于工業(yè)生產（陽極光亮法）。

這里還需要強調說明的一點是圖1上所包括的線段，在實際的測定中并不總是如此明顯，對于電阻很大的電解質，根本不可能分清各個線段；有些金屬也不能明顯地區(qū)分各個線段。